[发明专利]用于ESD防护的低电压触发硅控整流器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种用于ESD防护的低电压触发硅控整流器，属于ESD防护硅控整流器领域。该低电压触发硅控整流器在现有低电压触发硅控整流器的基础上，在栅氧化层与漏极N型掺杂区之间加入一个场氧结构，消除了硅控整流器漏极的LDD结构。另外，本发明还提供了一种用于ESD防护的低电压触发硅控整流器的制造方法。本发明的低电压触发硅控整流器在不增加工艺步骤的前提下，消除了硅控整流器漏极的LDD结构，达到了提高ESD防护能力的目的。同时在ESD防护过程中功耗较低、发热量小。

主权项

一种用于ESD防护的低电压触发硅控整流器，其特征在于，包括：第一导电型半导体衬底；在所述第一导电型半导体衬底上面设置的第二导电型掺杂阱；在所述第二导电型掺杂阱上设置的第二导电型第一掺杂区和第一导电型第二掺杂区；在所述第一导电型半导体衬底和第二导电型掺杂阱交界处设置的第二导电型第三掺杂区；在所述第一导电型半导体衬底上还设置了第二导电型第四掺杂区和第一导电型第五掺杂区；第二导电型第三掺杂区和第二导电型第四掺杂区之间设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅层；在第二导电型第三掺杂区和栅氧化层之间设有第一场氧结构，在第一导电型半导体衬底和第二导电型掺杂阱上设置将掺杂区隔离开的第二场氧结构；其中所述第二导电型第一掺杂区和第一导电型第二掺杂区并联于阳极，所述多晶硅层、第二导电型第四掺杂区和第一导电型第五掺杂区并联于阴极。