[发明专利]镀膜装置无效
申请号: | 201010296608.5 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102433553A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 裴绍凯 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/448 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种镀膜装置,包括一个形成装置、一个中间装置、一个制程装置、一个第一开关装置、一个第二开关装置及一个控制装置。该形成装置具有一个反应腔。该中间装置连接至该形成装置且具有一个连通该反应腔的等待腔。该制程装置连接至该中间装置且具有一个连接至该等待腔的制程腔。该第一开关装置用于控制该反应腔与该等待腔连通与隔绝。该第二开关装置用于控制该等待腔与该制程腔连通与隔绝。该控制装置用于控制第一及第二开关装置的作动。如此,前驱物可在反应腔中充分反应,反应后的前驱物进入等待腔后可在其中可被调配成适当浓度,最后才进入制程腔在基板上积淀成所需膜层。整个镀膜过程均可被准确地控制,使得所镀膜层的厚度均匀。 | ||
搜索关键词: | 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
一种镀膜装置,包括:一个形成装置,其具有一个反应腔;一个连接至该形成装置的中间装置,其具有一个连通该反应腔的等待腔;一个连接至该中间装置的制程装置,其具有一个连接至该等待腔的制程腔;一个第一开关装置,用于控制该反应腔与该等待腔连通与隔绝;及一个第二开关装置,用于控制该等待腔与该制程腔连通与隔绝;及一个控制装置,用于控制第一及第二开关装置的作动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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