[发明专利]发光二极管及其形成方法无效
| 申请号： | 201010297708.X | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102446908A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，其包括：基板，缓冲层，第一P型半导体层，第一P型半导体层。该基板具有第一表面。该缓冲层形成在基板的第一表面上。该第一P型半导体层设置在该缓冲层的远离该基板的表面上。该多个发光二极管晶粒间隔设置在该第一P型半导体层上，并且通过金属连接线串联连接。本发明还涉及一种发光二极管的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：基板，该基板具有一个第一表面；缓冲层，该缓冲层形成在基板的第一表面上；第一P型半导体层，该第一P型半导体层设置在该缓冲层的远离该基板的表面上；以及多个发光二极管晶粒，该多个发光二极管晶粒间隔设置在该第一P型半导体层上，并且通过金属连接线串联连接。
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