[发明专利]一种不匹配封接应力释放结构有效
| 申请号： | 201010298286.8 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101920926A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 丁荣峥;张顺亮;唐桃扣 | 申请（专利权）人： | 无锡中微高科电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种不匹配封接应力释放结构，其包括封接支撑环，封接支撑环包括位于内圈的芯片焊接区及位于所述芯片焊接区外圈的外壳钎焊区，外壳钎焊区与芯片焊接区间通过应力释放区相连。本发明封接支撑环包括芯片焊接区、外壳钎焊区及应力释放区，外壳钎焊区与安装台阶相焊接固定；芯片焊接区用于安装固定红外MEMS芯片，红外MEMS芯片位于真空环境中；当环境温度变化时，红外MEMS芯片与芯片焊接区产生的应力，能够通过应力释放区来释放因环境温度变化积聚在红外MEMS芯片上的应力，使红外MEMS芯片不产生形变，提高了红外MEMS芯片的热疲劳性、真空度及使用寿命，增加了红外MEMS芯片的可靠性，安装使用方便，封装体积小，封装成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 匹配 接应 释放 结构 | ||
【主权项】：
一种不匹配封接应力释放结构，其特征是：包括封接支撑环（13），所述封接支撑环（13）包括位于内圈的芯片焊接区（1）及位于所述芯片焊接区（1）外圈的外壳钎焊区（2），所述外壳钎焊区（2）与芯片焊接区（1）间通过应力释放区（3）相连。
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