[发明专利]一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法，1)N型直拉单晶硅片正面经过清洗及正金字塔织构化处理；2)N型直拉单晶硅片制备P型发射结；3)刻蚀掉背面P型发射结及同时去除硼硅玻璃；4)N型直拉单晶硅片正面沉积致密的氮化硅掩膜层；5)N型直拉单晶硅片背面制备背面场；6)去除氮化硅掩膜层；7)刻蚀去除边缘P-N结；8)去除磷硅玻璃；9)正面场先沉积Al2O3钝化膜，然后正面场再沉积氮化硅减反射膜；10)背面场沉积氮化硅钝化膜；11)正面场印刷银铝浆，烘干；12)背面场印刷银浆，烧结。本发明通过掩膜法实现发射极及表面场的生产方法，整个工艺过程简单，光电转换效率高达到18.8％。

主权项

一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法，其工艺流程如下：1)、N型直拉单晶硅片(1)正面经过清洗及正金字塔织构化处理；2)、N型直拉单晶硅片(1)通过BBr3液态硼扩散源制备P型发射结(2)；3)、使用HF/HNO3混合液刻蚀掉背面的P型发射结(2)及同时用HF去除硼硅玻璃；4)、N型直拉单晶硅片(1)正面P型发射结(2)面沉积致密的氮化硅掩膜层，氮化硅掩膜层厚度为80～100nm；5)、N型直拉单晶硅片(1)背面通过使用POCl3液态磷扩散源制备背面场N型发射结(6)；6)、使用热的浓磷酸去除氮化硅掩膜层；7)、使用等离子体刻蚀去除边缘P‑N结；8)、使用浓度2～10％HF去除磷硅玻璃；9)、正面场P型发射结(2)面先沉积10～50nm的Al2O3钝化膜(3)，然后正面场再沉积厚度为40～80nm的氮化硅减反射膜(4)，Al2O3钝化膜(3)和氮化硅减反射膜(4)的总厚度为70～80nm；10)、背面场N型发射结(6)面沉积厚度为70‑100nm的氮化硅钝化膜(7)；11)、正面场印刷银铝浆，烘干成银铝金属栅线(5)；12)、背面场印刷银浆，烧结成银金属栅线(8)。