[发明专利]CMOS晶体管的制作方法

摘要

一种CMOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区上形成有第一金属栅极，第二掺杂区上形成有第二牺牲栅极结构，所述第一金属栅极与第二牺牲栅极结构周围形成有介电保护层；在所述半导体衬底上形成保护帽层，所述保护帽层采用氧化硅；部分刻蚀所述保护帽层，露出第二牺牲栅极结构的牺牲栅；移除所述第二牺牲栅极结构的牺牲栅以形成第二栅极开口，在所述第二栅极开口中形成高K栅介电层与第二金属栅极。本发明采用氧化硅作为第一金属栅极上方的保护帽层，所述氧化硅的保护帽层易于从栅极表面移除，且不会对后续形成的栅介电层造成污染，使得器件的可靠性得到提高。

主权项

一种CMOS晶体管的制作方法，采用栅极替换工艺制作栅极，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区与第二掺杂区上分别形成有第一牺牲栅极结构与第二牺牲栅极结构，所述第一牺牲栅极结构与第二牺牲栅极结构包含有伪栅介电层、牺牲栅以及硬掩膜层；在所述半导体衬底上形成介电保护层，所述介电保护层覆盖第一牺牲栅极结构与第二牺牲栅极结构；平坦化所述介电保护层并移除所述硬掩膜层，直至露出牺牲栅表面；移除所述第一牺牲栅极结构的牺牲栅以形成第一栅极开口，在所述第一栅极开口中形成高K栅介电层与第一金属栅极；在所述半导体衬底上形成保护帽层，所述保护帽层采用氧化硅；部分刻蚀所述保护帽层，露出第二牺牲栅极结构的牺牲栅；移除所述第二牺牲栅极结构的牺牲栅以形成第二栅极开口，在所述第二栅极开口中形成高K栅介电层与第二金属栅极。