[发明专利]感光结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010299874.3 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102420234A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈晓翔;邱奕翔;陈仁杰 | 申请（专利权）人： | 汉积科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种感光结构的制造方法，包含下列步骤：(a)形成电路层于第一基板的上表面，其中第一基板包含至少一光感测组件，电路层包含至少一组件结构及至少一释放特征结构，且释放特征结构由金属材料形成，并形成于部分的光感测组件及组件结构上；(b)覆盖第一滤光层于电路层的部分区域上；以及(c)通过湿蚀刻工艺移除释放特征结构。 | ||
| 搜索关键词： | 感光 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种感光结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：(a)形成一电路层于一第一基板的一上表面，其中该第一基板包含至少一光感测组件，该电路层包含至少一组件结构，及至少一释放特征结构，且该释放特征结构由一金属材料形成，并形成于部分的该光感测组件及该组件结构上；(b)覆盖一第一滤光层于该电路层的部分区域上；以及(c)通过一湿蚀刻工艺移除该释放特征结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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