[发明专利]用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010300070.0 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN102218833A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 黄其煜;李海鑫 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B29D7/00 分类号: B29D7/00;C08L83/04
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种纳米压印技术领域的用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法,包括:采用多孔氧化铝模板作为母版,将聚二甲基硅氧烷基料和固化剂配比搅拌后加入硅油制成聚二甲基硅氧烷稀释剂;真空条件下,用针管加入聚二甲基硅氧烷稀释剂到母版表面并完全覆盖表面后进行甩胶处理;将聚二甲基硅氧烷基料和固化剂进一步覆盖在匀胶处理后的母版表面;将抽真空后的母版加热固化处理后制成用于紫外纳米压印的点阵结构软模板。本发明通过利用硅油稀释聚二甲基硅氧烷,降低其粘度系数,从而使其进入100纳米以下尺度的孔洞中,实现图形的转移。
搜索关键词: 用于 紫外 纳米 压印 点阵 结构 模板 制备 方法
【主权项】:
一种用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法,其特征在于,包括:第一步、采用多孔氧化铝模板作为母版,对母版进行去除杂质处理和降表面能处理;第二步、将聚二甲基硅氧烷基料和固化剂按质量比10∶1进行配比,经搅拌均匀后按照聚二甲基硅氧烷∶硅油质量比2∶1加入硅油,搅拌均匀后制成聚二甲基硅氧烷稀释剂;第三步、将母版置于密闭容器中进行真空处理,在真空条件下,用针管加入聚二甲基硅氧烷稀释剂到母版表面并完全覆盖表面,保持真空2~3分钟后,取出母版并置于匀胶机上进行甩胶处理;第四步、将聚二甲基硅氧烷基料和固化剂按质量比10∶1进行配比后搅拌均匀并进一步覆盖在匀胶处理后的母版表面,再将母版置于密闭容器中抽真空去除气泡;第五步、将抽真空后的母版加热固化处理后用镊子将固化后的聚二甲基硅氧烷从母版上取下即制成用于紫外纳米压印的点阵结构软模板。
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