[发明专利]在紫铜基底上制备微纳米二氧化硅薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201010300205.3 申请日: 2010-01-12
公开(公告)号: CN101787526A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 刘明言;陈宁 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C22/34 分类号: C23C22/34;C23C22/77;C23C22/78;C23C22/82
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽英
地址: 300192*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了在紫铜基底上制备微纳米二氧化硅薄膜的方法,它包括(a)对紫铜基底进行预处理;(b)在分析纯氟硅酸中加入分析纯硅酸配制成均一的第一溶液,然后将其放在水浴锅中磁力搅拌;(c)向第一溶液中加入去离子水制得第二溶液,然后将其放在水浴锅中磁力搅拌;(d)称取分析纯的硼酸加入到所述的第二溶液中制得第三溶液,然后将其放在水浴锅中磁力搅拌;(e)将基底放入第三溶液中沉积制得涂覆有二氧化硅薄膜的基片;(f)沉积完毕后,将基片取出,冲洗表面以去除表面残留物;(g)将基片晾干后放入电阻炉中加热;(h)关闭电阻炉,自然冷却后得到氧化硅微纳米薄膜涂层。采用本方法制备的薄膜均匀致密,涂层与基底的结合更加牢固。
搜索关键词: 紫铜 基底 制备 纳米 二氧化硅 薄膜 方法
【主权项】:
在紫铜基底上制备微纳米二氧化硅薄膜的方法,其特征在于它包括以下步骤:(a)对紫铜基底进行预处理,使其表面的粗糙度Ra控制在Ra<0.2μm;(b)在每升分析纯氟硅酸中加入60-80克分析纯硅酸配制成均一的第一溶液,然后将其放在20℃~30℃的水浴锅中磁力搅拌3h~6h;(c)向所述的第一溶液中加入去离子水制得第二溶液并使第二溶液中氟硅酸的浓度为1-2mol/L,然后将其放在40℃~50℃的水浴锅中磁力搅拌0.5h~1h;(d)称取分析纯的硼酸加入到所述的第二溶液中制得第三溶液,使第三溶液中的硼酸浓度为0.0~0.03mol/L,然后将其放在40℃~50℃水浴锅中磁力搅拌0.5h~1h;(e)将基底垂直放入第三溶液中沉积10-20h制得涂覆有二氧化硅薄膜的基片;(f)沉积完毕后,将基片取出,用去离子水多次冲洗表面以去除表面残留物;(g)将基片自然晾干,然后放入N2保护的电阻炉中加热,加热速率为1-5℃/min,当温度升高到100~400℃时,保持恒温1-5h;(h)关闭电阻炉,自然冷却后得到均一致密的氧化硅微纳米薄膜涂层。所述的步骤(a)中的预处理步骤依次包括打磨步骤和超声清洗步骤;其中经所述的打磨步骤打磨后的不锈钢基底的表面的粗糙度Ra<0.2μm,所述的超声清洗步骤包括:(1)用质量百分比为5%~15%,温度为60℃的氢氧化钠溶液超声清洗基底5~10min,除去表面的部分油脂;(2)将基底浸入质量百分比为2%~10%,温度为20℃的盐酸溶液,超声清洗5~10min,以除去表面氧化物;(3)用去离子水清洗基底5~15min,以除去表面残留的酸;(4)将基底分别放入质量百分比大于99.7%的无水乙醇和质量百分比大于99.5%的丙酮中进行超声清洗15-25min后取出,以除去残留的油脂;(5)用去离子水超声清洗基底5~20min,以彻底除去表面残存的无水乙醇和丙酮;(6)将基底放入质量百分比为2~4%的氢氟酸中刻蚀2~4min,最后将基底放入去离子水中浸泡2-3h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010300205.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code