[发明专利]一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法无效
| 申请号： | 201010300736.2 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101775662A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴学林;卢小丹 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，涉及多晶硅生产领域中的高纯多晶硅硅块清洗的方法，在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序；氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓度的决定；超声清洗之后再用热氮气切水、真空烘干从而得到满足直拉单晶要求的高纯免洗多晶硅硅块。通过增加氢氟酸溶液腐蚀工序，去除硅块经过混酸腐蚀的多晶硅硅块再次接触空气后产生的表面氧化层，从而得到表面金属光泽度好、表面质量更优的免洗高纯多晶硅料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 多晶 硅硅块 腐蚀 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，其特征在于包括以下步骤：在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序；氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓度决定；超声清洗之后再用热氮气切水、真空烘干从而得到满足直拉单晶要求的高纯免洗多晶硅硅块。
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