[发明专利]一种实现高脉冲功率磁控放电方法无效
| 申请号： | 201010301411.6 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102254778A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 牟宗信;牟晓东;贾莉;郝胜智;王春;董闯 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116085 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现高脉冲功率磁控放电方法，属于电工工程技术领域。其特征是该方法实现了通过调整横向磁场特性和非平衡磁场特性与磁控靶辉光放电的放电条件、瞬态特性相匹配，由电源的谐振特性与磁控靶的谐振特性相匹配，实现自触发和形成高脉冲功率磁控放电；磁控靶前设置空心阴极结构提高自触发等离子体的初始密度和放电功率密度，实现高脉冲功率磁控放电；与现有高脉冲功率磁控放电方法相比具有结构简单，对放电系统和电源要求低，工作可靠，从而实现更高工作效率和可靠性的放电方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 脉冲 功率 放电 方法 | ||
【主权项】：
一种实现高脉冲功率磁控放电方法，其特征在于：通过调整横向磁场特性和非平衡磁场特性与磁控靶辉光放电的放电条件、瞬态特性相匹配，由电源的谐振特性与磁控靶的谐振特性相匹配，实现自触发和形成高脉冲功率磁控放电；磁控靶前设置空心阴极结构提高自触发等离子体的初始密度衡放电功率密度，实现高脉冲功率磁控放电；所述的放电条件包括气压、电源电压、电极形式、电场、磁场条件和放电气体成份；触发方式利用辉光放电的启辉过程与由磁控靶磁场特性和放电条件控制的放电瞬态特性相匹配；在磁控靶上设置空心阴极的电极结构、形式和参数匹配能够提高脉冲功率。
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