[发明专利]ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010500171.2 | 申请日： | 2010-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101976800A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 杜国同;夏晓川;赵旺;梁红伟;张宝林 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/18;H01S5/06 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的GaN外延层、电流下限制层、ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | zno gan 组合 端面 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上制备的p型GaN外延层(2)、GaN外延层(2)上制备的Zn1‑xMgxO电流下限制层(3)、电流下限制层(3)上制备的n型ZnO基材料发光层(4)、ZnO发光层(4)上面制备的上电极(6)构成，其中x＝0.05～1，或一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上制备的n型GaN外延层(2)、GaN外延层(2)上制备的Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层(3)、电流下限制层(3)上制备的p型ZnO基材料发光层(4)、ZnO基材料发光层4上面制备的上电极(6)构成，或一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上外延生长的n型GaN外延层(2)、在GaN外延层(2)上制备的p型ZnO基材料发光层(4)、在ZnO基材料发光层(4)上面制备的上电极(6)构成，或一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上外延生长的n型GaN外延层(2)、在GaN外延层(2)上制备的的Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层(3)、电流下限制层(3)上制备的p型ZnO基材料发光层(4)、在ZnO基材料发光层(4)上面制备的p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层(7)、电流上限制层(7)上制备的电极(6)构成，其特征在于：衬底(1)是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层(2)的导电类型相同，同时在衬底(1)的下面制备有下电极(5)；由芯片解理的前、后端面构成前反射镜(8)和后反射镜(9)，激光器在前反射镜(8)和后反射镜(9)出光。
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