[发明专利]一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010500518.3 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102024904A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张石磊;滕蛟;于广华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明设计内容为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 金属 霍尔 传感器 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料，其特征在于：所述霍尔传感器薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层的多层膜结构。
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