[发明专利]微纳米流体系统及其制备方法有效
申请号: | 201010500889.1 | 申请日: | 2010-10-09 |
公开(公告)号: | CN102009941A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 许胜勇;庄虔伟;吴修栋;刘海啸;龚巍巍;薛炯微;孙伟强 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | B81B1/00 | 分类号: | B81B1/00;B01L3/00;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01R27/22;G01R27/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100871 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备微纳米流体系统的方法。该方法,包括如下步骤:1)在基底上制备薄膜热电偶阵列,得到薄膜热电偶阵列层;2)在所述步骤1)制备得到的薄膜热电偶阵列层上制备一层绝缘层a,并在所述绝缘层之上制备一层场调制层;3)在所述步骤2)制备得到的场调制层上制备一层绝缘层b,并将所述绝缘层b上制备一层微纳米通道层,封装后得到所述微纳米流体系统。本发明制作的微纳米流体测试系统带有局域温度测量与控制、可进行直流及高频电磁测量。该系统功能多样、结构紧凑且测试精度高,在物理、化学、生物等研究领域都有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 纳米 流体 系统 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微纳米流体系统,由上至下依次为保护层、微纳米通道层、绝缘层b、场调制层、绝缘层a、薄膜热电偶阵列层和基底。
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