[发明专利]一种柔性薄膜太阳电池用光吸收层材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010501081.5 | 申请日： | 2010-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102005487A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/16 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种柔性薄膜太阳电池用光吸收层材料及其制备方法。所述光吸收层材料为黄铜矿结构Cu(InxAl1-x)M2(M＝Se，S，Te)系列化合物中的Cu(InxAly)Sez(0.8＜(x+y)＜1.2，1.8＜z＜2.5)半导体薄膜。其制备方法是利用磁控溅射法，在柔性基底上沉积Cu-In-Al合金预制层，然后将所述Cu-In-Al合金预制层置于硒化处理真空室内进行硒化处理。本发明所述的材料及其制备方法有望解决当前太阳电池发展所遇到的资源短缺与环境污染等问题，为太阳电池的发展应用开辟新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜 太阳电池 用光 吸收 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性薄膜太阳电池的光吸收层材料，其特征在于：所述光吸收层材料为CuIn1‑xAlxM2(M＝Se，S，Te)系列化合物中的Cu(InxAly)Sez(0.8＜(x+y)＜1.2，1.8＜z＜2.5)半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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