[发明专利]存储器储存装置、存储器控制器与产生对数似然比的方法有效
| 申请号： | 201010501751.3 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102436842A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 曾建富;赖国欣 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C29/52 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器储存装置、存储器控制器与产生对数似然比的方法。此方法包括使用至少一位元资料读取电压从存储器储存装置的闪存芯片的记忆胞中获取一读取资料，此读取资料对应第一储存状态，并对读取资料执行错误校正程序以获得读取资料在写入时所对应的第二储存状态。此方法还包括在符合错误统计总数的储存状态中取得在写入时为第二储存状态但在读取时为第一储存状态的储存错误总数，并根据错误统计总数、储存状态数量及储存错误总数执行对数运算，以产生读取资料的第一对数似然比。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 储存 装置 控制器 产生 对数 方法 | ||
【主权项】：
一种产生对数似然比的方法，用于一存储器储存装置，该存储器储存装置包括具有多个记忆胞的一闪存芯片，其中各该记忆胞具有多个储存状态，该多个储存状态是以至少一位元资料读取电压来区分，其特征在于，该方法包括：使用该至少一位元资料读取电压从该些记忆胞中获取一读取资料，其中该读取资料对应一第一储存状态，该第一储存状态为该多个储存状态的其中之一；对该读取资料执行一错误校正程序以获得该读取资料在写入时所对应的一第二储存状态，其中该第二储存状态为该多个储存状态的其中之一；在所读取的符合一错误统计总数的该多个储存状态中，取得在写入时为该第二储存状态而在读取时为该第一储存状态的一储存错误总数；以及根据该错误统计总数、该多个储存状态的一储存状态数量，以及该储存错误总数执行一对数运算，以产生该读取资料的一第一对数似然比。
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