[发明专利]一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法无效
| 申请号： | 201010502544.X | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102446754A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 缪燕;彭仕敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上形成栅电极；第二步，LDD注入，在栅电极侧壁形成侧墙；第三步，源漏注入及快速热退火；第四步，生长磷硅玻璃薄膜，该步骤具体为：首先进行晶圆加热，然后淀积磷硅玻璃；在淀积磷硅玻璃之前的晶圆加热过程中引入还原性气体，抑制基体硅表面被氧化；第五步，自对准接触孔刻蚀。本发明可有效去除磷硅玻璃生长前的界面初始二氧化硅层，从而获得全掺杂的磷硅玻璃薄膜，避免了后续自对准接触孔刻蚀停止的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 玻璃 初始 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上形成栅电极；第二步，LDD注入，在栅电极侧壁形成侧墙；第三步，源漏注入及快速热退火；第四步，生长磷硅玻璃薄膜，该步骤具体为：首先进行晶圆加热，然后淀积磷硅玻璃；在淀积磷硅玻璃之前的晶圆加热过程中引入还原性气体，抑制基体硅表面被氧化；第五步，自对准接触孔刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
