[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成具有一开口的一保护层；通过开口而在一基底区内注入一掺杂物，该保护层保护不同的基底区；以及缩减保护层的厚度。一不同的型态包括：蚀刻一基底，以在其内形成一凹口；通过位于基底上方的一保护层内的一开口，在凹口内的一基底区注入一掺杂物；以及缩减保护层的厚度。另一型态包括：在一基底上形成一保护层；在保护层上方形成具有一开口的光致抗蚀剂；通过开口来蚀刻保护层，以露出基底；蚀刻基底，以在基底内形成一凹口；在一基底部注入一掺杂物，而保护层保护位于其下方一不同的基底部；以及蚀刻保护层以缩减其厚度。本发明使得易于进行掺杂物的注入。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：提供一基底；在该基底上方形成一保护层，该保护层具有一贯穿的开口及一第一厚度；通过该开口，在该基底的一第一区内注入一掺杂物，而该保护层防止该掺杂物注入该基底的一第二区，该第二区不同于该第一区；以及将该保护层的厚度缩减至小于该第一厚度的一第二厚度。