[发明专利]等离子体反应腔室及其设备、部件的制造方法和处理基片的方法无效
| 申请号： | 201010504191.7 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102154630A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 南建辉;宋巧丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体反应腔室及其部件的制造方法、等离子体增强化学气相沉积设备和在该设备内处理基片的方法，所述反应腔室内的部件在工艺过程中具有一个或多个表面与等离子体接触，所述部件与等离子接触的表面经过粗化处理，以增强工艺过程中产生的聚合物与所述部件表面的结合度。本发明提供的等离子体反应腔室及其部件的制造方法，能够延长设备维护周期，减少设备清洗频率，从而增加工艺时间，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 反应 及其 设备 部件 制造 方法 处理 | ||
【主权项】：
一种等离子体反应腔室，所述反应腔室内的部件在工艺过程中具有一个或多个表面与等离子体接触，其特征在于，所述部件与等离子接触的表面经过粗化处理，以增强工艺过程中产生的聚合物与所述部件表面的结合度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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