[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，其包括：具有光器件区域和电器件区域的半导体衬底；刻蚀该光器件区域形成的光导层；形成于该光导层下方的半导体衬底中的第一氧化层；覆盖该光导层表面的第三氧化层。本发明还提供了制造半导体器件的方法：提供半导体衬底，该半导体衬底包括光器件区域和电器件区域，刻蚀光器件区域形成光导层；然后在光导层的表面形成第二氧化层，再利用湿法刻蚀的方式去除第二氧化层；形成覆盖光导层表面的第三氧化层；最后在半导体衬底中注入氧离子，以在光导层下方的半导体衬底中形成第一氧化层。根据该半导体器件及其制造方法，避免半导体器件发生光泄漏现象，并可使在同一块半导体器件上集成光器件基板和电器件基板更为便利。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：具有光器件区域和电器件区域的半导体衬底；刻蚀所述光器件区域形成的光导层；形成于所述光导层下方的半导体衬底中的第一氧化层；覆盖所述光导层表面的第三氧化层。