[发明专利]绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201010504649.9 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102005454A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 高明辉;彭树根;肖军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括第一补偿区和第二补偿区，所述第一补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区与栅极区之间，所述第二补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区与栅极区之间，第一补偿区和第二补偿区与栅极区的导电类型相同，并且，所述第一补偿区和第二补偿区的掺杂浓度大于栅极区的掺杂浓度。本发明可降低旁路电流，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 互补 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管，以及第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；第一金属氧化物半导体场效应晶体管与第二金属氧化物半导体场效应晶体管共用栅极区(10)，并且围绕栅极区(10)依次布置有第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(20)、第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(30)、第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(40)、以及第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(50)，其特征在于，还包括第一补偿区(60)和第二补偿区(70)，所述第一补偿区(60)设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(30)与栅极区(10)之间，所述第二补偿区(70)设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(50)与栅极区(10)之间，第一补偿区(60)和第二补偿区(70)与栅极区(10)的导电类型相同，并且，所述第一补偿区(60)和第二补偿区(70)的掺杂浓度大于栅极区(10)的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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