[发明专利]耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)无效
| 申请号： | 201010505778.X | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102254951A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | A·吉比 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)。结型场效应晶体管半导体器件和方法可包括设置在源极区域和漏极区域之间的顶栅，其可从源极区域向漏极区域延伸横跨沟道区域的整个表面。顶栅掺杂可被配置成使顶栅可在器件的整个工作期间保持耗尽。这样配置的器件的一个实施例可用于精密高电压应用。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 型顶栅结型 场效应 晶体管 dtgjfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：位于半导体层中的源极区域；位于所述半导体层中的漏极区域；位于所述半导体层中设置在所述源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及位于所述半导体层中设置在所述源极区域和漏极区域之间的顶栅，其中所述顶栅横跨从所述源极区域向所述漏极区域的整个范围覆盖所述沟道区域，且适合于在器件工作期间完全耗尽。
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