[发明专利]面发光型半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 201010506998.4 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102447220A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 玉贯岳正 | 申请（专利权）人： | 新科实业有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/06;H01S5/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 提供一种可高速变频且可稳定地控制激光偏振方向的面发光型半导体激光器。具有由半导体基板，形成在该半导体基板上方的下部镜面层，形成在该下部镜面层上方的活性层，形成在该活性层上方的含氧化层的上部镜面层顺次层积，且在高度方向上特定的位置往上方有一部分形成台面状的共振器；覆盖所述共振器台面部的侧面及该共振器的非台面部上方的绝缘层；各自配线在所述上部镜面层的上方及所述半导体基板的下方的各电极。形成在所述共振器的所述台面部侧面的所述绝缘层的一部分的厚度，沿着该台面部的高度方向同等地比其他部分更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相对于半导体基板的基板面的垂直方向射出激光的面发光型半导体激光器，其特征在于：包含：由所述半导体基板，形成在该半导体基板上方的下部镜面层，形成在该下部镜面层上方的活性层，以及形成在该活性层上方的包含氧化层的上部镜面层层积而形成的，在高度方向上从特定位置往上方有一部分形成台面状的共振器，覆盖所述共振器台面部的侧面及该共振器非台面部上方的绝缘层，各自配线在所述上部镜面层上方及所述半导体基板下方的各电极，且形成在所述共振器的所述台面部的所述绝缘层的一部分的厚度，沿着该台面部的高度方向同等地比其他部分更厚。
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