[发明专利]栅极结构及方法无效
| 申请号： | 201010507407.5 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446734A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;熊涛;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极结构及方法；包括：衬底，在衬底上有氧化层，在氧化层上有多晶硅，在多晶硅的栅极上有金属硅化物；在金属硅化物上有氮化物。本发明和一般的上层有阻挡层的栅极相比，这种栅极结构也可以一样使用在这些特殊制程中；而且因为栅极上有金属硅化物，因此栅极电阻和栅极接触电阻都能被有效减小，这样可以降低栅极延时，优化器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极结构；包括：衬底，在衬底上有氧化层，在氧化层上有多晶硅，其特征在于，在多晶硅的栅极上有金属硅化物；在金属硅化物上有氮化物。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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