[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201010507863.X | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034856A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吉川功;窪内源宜 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/41 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。根据本发明的一种反向阻断IGBT包括：耐反向击穿区240；在耐反向击穿区240中形成的p型场限制环(外FLR)41；连接至外FLR 41的场电极(外FP)42；外FP 42包括与最接近有源区的外FLR 41接触的第一外FP 43和与其他外FLR 41接触的第二外FP 44；第一外FP 43具有向有源区突出的有源区侧边缘部分；以及第二外FP 44具有向边缘区域突出的边缘区域侧边缘部分。根据本发明的该反向阻断IGBT便于提高其耐电压并减小其面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括第一导电类型的第一半导体区的半导体衬底；所述半导体衬底中的有源区；在所述有源区外部的耐击穿区；在所述半导体衬底的背面上的第二导电类型的集电极区；在所述耐击穿区的外围区域中的所述第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区从所述半导体衬底的正面穿过所述半导体衬底形成到所述半导体衬底的背面，所述第二半导体区与所述集电极区接触；在所述半导体衬底的正面上的所述耐击穿区的表面部分中的所述第二导电类型的第三半导体区，所述第三半导体区包围所述有源区；在所述半导体衬底的正面上选择性地形成的层间绝缘膜；与所述第三半导体区接触的导电膜，所述导电膜在所述层间绝缘膜上；以及所述导电膜中的至少除了与最远侧的第三半导体区接触的导电膜以外的导电膜包括第二半导体区侧边缘部分，所述第二半导体区侧边缘部分比与相应导电膜接触的第三半导体区的第二半导体区侧边缘部分向所述第二半导体区突出更多，其中所述最远侧的第三半导体区与所述第二半导体区相距最远，并且从所述第二半导体区朝所述有源区延伸的耗尽层到达所述最远侧的第三半导体区。
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