[发明专利]带有带隙基准结构的欠压锁存电路无效
申请号: | 201010508409.6 | 申请日: | 2010-10-15 |
公开(公告)号: | CN101958640A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 赵鹤鸣;李富华;谢卫国;王伟;黄秋萍;江石根 | 申请(专利权)人: | 苏州大学;苏州华芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种带有带隙基准结构的欠压锁存电路,包括分压器、带隙基准电路、比较器和逻辑电路,其特征在于:所述带隙基准电路和比较器采用带隙基准比较器实现,带隙基准比较器由带隙基准结构和负载构成,分压器的分压电压输出端连接带隙基准比较器的比较电压输入端,带隙基准比较器的输出端连接逻辑电路的输入端,经逻辑电路整形后构成欠压锁存电路的控制输出端;逻辑电路与分压器间设有反馈控制回路,当带隙基准比较器输出高电平时,逻辑电路经反馈控制回路使分压器输出较高的分压电压。本发明通过设计带隙基准结构构建了带隙基准比较器,电路结构明显简化,电路面积更小,成本更低;响应速度快;温度漂移小;功耗低。 | ||
搜索关键词: | 带有 基准 结构 欠压锁存 电路 | ||
【主权项】:
一种带隙基准比较器,其特征在于:由带隙基准结构和负载构成,所述带隙基准结构由第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻构成,第一三极管和第二三极管的基极连接构成比较电压输入端,第一三极管的发射极经第一电阻连接第二三极管的发射极,第二三极管的发射极经第二电阻接地,所述负载包括三对镜像电流源,第一镜像电流源的电流源支路串联在电源和第一三极管的集电极之间,第二镜像电流源的电流源支路串联在电源和第二三极管的集电极之间,第三镜像电流源的电流源支路串联在第一镜像电流源的镜像支路与地之间,第三镜像电流源的镜像支路串联在第二镜像电流源的镜像支路与地之间,第二镜像电流源镜像支路与第三镜像电流源镜像支路的连接点为带隙基准比较器的输出端。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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