[发明专利]一种溶剂热生长立方相CdTe纳米带的方法有效

专利信息
申请号: 201010508431.0 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN101962177A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 李锦;李先卯;简基康;孙言飞;吴荣 申请(专利权)人: 新疆大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 830046 新疆维*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开了一种溶剂热生长立方相CdTe纳米带的方法,是通过以下工艺过程实现的:将碲粉(Te)利用硼氢化钾(KBH4)还原成Te2-的溶液,然后依次加入Cd源和乙二胺水溶液,密封高温保存一天,反应完成后清洗样品,得到的黑色固体即立方相的碲化镉纳米带。本发明的特点是:方法简单,产率高,所制得的CdTe纳米带均匀性好,对环境危害小,易于推广且适合大规模的工业生产。
搜索关键词: 一种 溶剂 生长 立方 cdte 纳米 方法
【主权项】:
一种溶剂热生长立方相CdTe纳米带的方法:将碲粉(Te)、硼氢化钾(KBH4)溶入少量的水中,隔绝空气静置,待溶液由黑色变成粉红色,即得到Te2‑的溶液;将氯化镉(CdCl2·2.5H20)溶入少量的水中,完全溶解后得到Cd2+的溶液。将两种溶液混合,发生强烈的反应,产生大量气体,溶液颜色迅速变成黑色。待反应逐渐减缓时,加入乙二胺,使前后水的总体积与乙二胺的体积比为1∶4左右。搅拌一段时间后转移到聚四氟乙烯水热反应釜中,使溶液体积占容器总体积的80%左右。密封保存在100‑180℃的高温烘箱中,静置24小时。反应完成后清洗干净,得到的黑色固体即为CdTe纳米带。
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