[发明专利]形成侧墙以及PMOS晶体管的方法无效
| 申请号： | 201010509385.6 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446747A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张彬;鲍宇;任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/31;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成侧墙以及PMOS晶体管的方法，形成侧墙的方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极，所述硅栅极两侧的硅衬底内形成有锗硅区域；氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极表面，在所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成氧化硅层；在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；回刻所述氧化层、氧化硅层和氮化硅层在所述栅极的周围形成侧墙。本发明可以克服锗硅区域上没有氧化硅层，使侧墙容易与硅衬底剥离的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 以及 pmos 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种形成侧墙的方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的硅衬底内形成有锗硅区域；氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面，在所述硅衬底、锗硅区域以及栅极表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成氧化硅层；在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；回刻所述氧化硅层和氮化硅层在所述栅极的周围形成侧墙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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