[发明专利]整合转换器的半导体组件及其封装结构

摘要

本发明公开了半导体组件，其包括一具有一第一导电类型的半导体基底、至少一高侧晶体管组件以及至少一低侧晶体管组件。高侧晶体管组件包括一具有一第二导电类型的高侧基体掺杂区、一具有第一导电类型的高侧源极掺杂区以及一具有第一导电类型的漏极掺杂区。高侧基体掺杂区设于半导体基底内，且高侧源极掺杂区与漏极掺杂区设于高侧基体掺杂区内。高侧源极掺杂区电性连接半导体基底，且半导体基底作为低侧晶体管组件的一漏极。借此，可增加高侧晶体管组件与低侧晶体管组件的大小，进而降低电源转换的功率损耗。

主权项

一种整合转换器的半导体组件，其特征在于，包括：一半导体基底，该半导体基底定义有一高侧晶体管组件区以及一低侧晶体管组件区，且该半导体基底具有一第一导电类型；一高侧晶体管组件，设于该高侧晶体管组件区内，且该高侧晶体管组件包括：一高侧基体掺杂区，设于该高侧晶体管组件区的该半导体基底内，且该高侧基体掺杂区具有一第二导电类型；一轻漏极掺杂区，设于该高侧基体掺杂区内，且该轻漏极掺杂区具有该第一导电类型；一漏极掺杂区，设于该轻漏极掺杂区内，且该漏极掺杂区具有该第一导电类型；一高侧源极掺杂区，设于该轻漏极掺杂区一侧的该高侧基体掺杂区内，且该高侧源极掺杂区具有该第一导电类型；以及一高侧栅极导电层，设于该轻漏极掺杂区与该高侧源极掺杂区之间的该高侧基体掺杂区上；一高侧漏极金属层，设于该高侧晶体管组件区的该半导体基底上，且电性连接该漏极掺杂区；一高侧栅极金属层，设于该高侧晶体管组件区的该半导体基底上，且电性连接至该高侧栅极导电层；一共同金属层，设于该半导体基底下，且电性连接该高侧源极掺杂区与该半导体基底；一低侧晶体管组件，设于该低侧晶体管组件区内，且该低侧晶体管组件具有一栅极、一源极以及一漏极，其中该半导体基底作为该低侧晶体管组件的该漏极；一低侧源极金属层，设于该低侧晶体管组件区的该半导体基底上，且电性连接该低侧晶体管组件的该源极；一低侧栅极金属层，设于该低侧晶体管组件的该半导体基底上，且电性连接该低侧晶体管组件的该栅极；以及一第一层间介电层，设于该半导体基底与该高侧漏极金属层以及该低侧源极金属层之间。