[发明专利]半导体钛晶节能芯片的制造方法

摘要

一种半导体钛晶节能芯片的制造方法，其步骤包含一准备程序、一清洗程序、一镀膜程序与一切割完成程序，其中该准备程序为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃；该清洗程序为将该钛晶玻璃以超音波清洗干净并加以烘干；该镀膜程序为将该钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中，并以摄氏300-750度的温度使该钛晶玻璃的表面毛细孔扩张，以于该钛晶玻璃上植入该钛晶阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的一氧化金属群，并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10度，使该钛晶玻璃的表面收缩使得该氧化金属群形成在该钛晶玻璃的表层内为完成一循环，并重复此一循环多次直至满足所需规格即完成该半导体钛晶节能芯片的制作，并可借该切割完成程序加以切割成所需的大小。

主权项

一种半导体钛晶节能芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：一准备程序(10)，所述准备程序(10)为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃；一清洗程序(20)，所述清洗程序(20)为将所述钛晶玻璃用超音波清洗干净并加以烘干；以及一镀膜程序(30)，所述镀膜程序(30)为将所述钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中，并用摄氏300‑750度的温度使所述钛晶玻璃的表面毛细孔扩张，以于所述钛晶玻璃上植入阻抗在2500‑3500微米波长且50‑70纳米厚的氧化金属群(60)，并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏‑10度，使所述钛晶玻璃的表面收缩，使得所述氧化金属群(60)形成在所述钛晶玻璃的表层内从而完成一循环，并重复此一循环。