[发明专利]自对准光刻的方法有效
| 申请号： | 201010509857.8 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102445839A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王雷;孟洪林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自对准光刻的方法，包括如下步骤：1)在自对准的图形层上淀积抗反射材料，而后采用光刻和刻蚀工艺在所述抗反射材料中形成自对准图形；2)接着涂负性光刻胶；3)最后进行曝光显影，使抗反射材料上的负性光刻胶去除。采用本发明的方法，实现了无需光刻掩膜版的自对准光刻。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准光刻的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在自对准的图形层上淀积抗反射材料，而后采用光刻和刻蚀工艺在所述抗反射材料中形成自对准图形；2)接着涂负性光刻胶；3)最后进行直接曝光并显影，去除所述抗反射材料上的负性光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010509857.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涂布显影装置
- 下一篇：带遮光罩的布匹的检测装置
