[发明专利]锗硅监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法有效
| 申请号： | 201010511414.2 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102456541A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王雷;孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;G01N21/25 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅监控片的制备方法，该锗硅监控片用于监控锗硅薄膜中的锗的含量，包括如下步骤：1)至少设计一组光栅图形；2)将步骤1)所述的光栅图形定义在衬底上，并刻蚀所述衬底形成具有台阶差的光栅图形；3)在所述衬底上淀积具有特定含量的锗硅薄膜，形成具光栅图形锗硅薄膜。采用本发明所制备的锗硅监控片，不同的Ge含量的锗硅薄膜具有不同的反射和衍射强度，因此可以直观的通过检测反射和衍射强度进行锗硅薄膜中Ge含量的监控。本发明还公开一种采用上述制备的锗硅监控片进行监控的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 制备 方法 采用 该片 进行 | ||
【主权项】：
一种锗硅监控片的制备方法，所述锗硅监控片用于监控所述锗硅薄膜中的锗的含量，其特征在于，包括如下步骤：1)至少设计一组光栅图形；2)将步骤1)所述的光栅图形定义在衬底上，并刻蚀所述衬底形成由多个规则排列的沟槽构成光栅图形；3)在所述衬底上淀积具有特定含量的锗硅薄膜，形成具光栅图形锗硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
