[发明专利]存储装置和用于制造存储装置的方法无效
| 申请号： | 201010511478.2 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102054529A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 角野润;保田周一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 冯丽欣;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储装置和用于制造存储装置的方法，所述存储装置包括电阻变化型存储元件，且该存储装置包括：第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料以及所述第二电极与所述第二电阻变化层的接触面积中的至少一者，不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料以及所述第一电极与所述第一电阻变化层的接触面积中的对应的一者。因此，本发明的存储装置能够进行高速重写操作并具有优异数据保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其包括电阻变化型存储元件，所述存储装置包括：第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料以及所述第二电极与所述第二电阻变化层的接触面积中的至少一者，不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料以及所述第一电极与所述第一电阻变化层的接触面积中的对应的一者。
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