[发明专利]薄膜图案和阵列基板的制造方法无效
| 申请号： | 201010512170.X | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102455591A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 刘圣烈;宋泳锡;崔承镇;曹占锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G02F1/1362;H01L21/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜图案和阵列基板的制造方法。该方法至少包括：在衬底基板上形成第一薄膜和第二薄膜；在第二薄膜上涂覆光刻胶；采用双色调掩模板对光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的图案，而后分别进行刻蚀，其中，第一次干刻具体为，刻蚀掉完全去除区域对应的第一薄膜，形成第一图案，且同时按照部分保留区域光刻胶的厚度对光刻胶进行刻蚀。本发明通过同时进行第一薄膜的第一次干刻和光刻胶的灰化，使得形成的第一薄膜的宽度与灰化后光刻胶的宽度一致，从而能减小实际线宽。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 图案 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜图案制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成第一薄膜和第二薄膜；在所述第二薄膜上涂覆光刻胶；采用双色调掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的图案；进行第一次湿刻，刻蚀掉完全去除区域对应的第二薄膜；进行第一次干刻，刻蚀掉完全去除区域对应的第一薄膜，形成第一图案，且同时按照部分保留区域光刻胶的厚度对光刻胶进行刻蚀；进行第二次湿刻，刻蚀掉部分保留区域对应的第二薄膜；进行第二次干刻，刻蚀掉部分保留区域对应的全部或部分第一薄膜，形成第二图案；去除剩余的光刻胶。
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