[发明专利]一种GaN基发光二极管无效
| 申请号： | 201010512793.7 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456787A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吴东海;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN基发光二极管，涉及光电技术领域。本发明包括基板以及置于基板上方的依次由N型半导体层、发光结构层、P性半导体层和透明导电层相叠加组成的GaN基发光二极管材料。透明导电层上的一端置有P型电极，N型半导体层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述GaN基发光二极管材料的外围置有一圈或多圈能提高发光二极管侧面出光效率的光子晶体的图形化微结构。图形化微结构的顶端介于N型半导体层底端与P性半导体层顶端之间。同现有技术相比，本发明在发光二极管的周围制作出光子晶体的图形化微结构，从而改善发光二极管的侧面出光效率，提高发光二极管的光取出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管，它包括基板(11)以及置于基板(11)上方的依次由N型半导体层(21)、发光结构层(22)、P性半导体层(23)和透明导电层(31)相叠加组成的GaN基发光二极管材料(10)，透明导电层(31)上的一端置有P型电极(41)，N型半导体层(21)上、与P型电极(41)相对的另一端置有N型电极(42)；其特征在于，所述GaN基发光二极管材料(10)的外围置有一圈或多圈能提高发光二极管侧面出光效率的光子晶体的图形化微结构(51)，图形化微结构(51)的顶端介于N型半导体层(21)底端与P性半导体层(23)顶端之间。
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