[发明专利]一种片式氧传感器芯片的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010514399.7 申请日: 2010-10-21
公开(公告)号: CN102455311A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 黄志彬;向其军 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种片式氧传感器芯片的制备方法,包括以下步骤:1)在加热器基片上依次印刷绝缘层、电极、绝缘层,烘干得到第一片层;2)在参比气基片上切割参比气通道,并在参比气通道内填充保型材料,得到第二片层;所述保型材料中含有聚丙烯和石墨;3)在氧化锆敏感基体的两面分别印刷电极,在一面的电极上继续印刷多孔保护层,烘干得到第三片层;4)将第一片层的绝缘层的一面朝上,第三片层的多孔保护层的一面朝上,将第一片层、第二片层、第三片层从下到上依次叠放,热压、共烧,得到片式氧传感器芯片。采用本发明提供的制备方法得到的片式氧传感器芯片的良品率很高。
搜索关键词: 一种 片式氧 传感器 芯片 制备 方法
【主权项】:
一种片式氧传感器芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在加热器基片上依次印刷绝缘层、电极、绝缘层,烘干得到第一片层;2)在参比气基片上切割参比气通道,并在参比气通道内填充保型材料,得到第二片层;所述保型材料中含有聚丙烯和石墨;3)在氧化锆敏感基体的两面分别印刷电极,在一面的电极上继续印刷多孔保护层,烘干得到第三片层;4)将第一片层的绝缘层的一面朝上,第三片层的多孔保护层的一面朝上,将第一片层、第二片层、第三片层从下到上依次叠放,热压、共烧,得到片式氧传感器芯片。
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