[发明专利]镀铜石墨和纳米碳化硅混杂增强铜基复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010514440.0 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101982552A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王桂松;耿林;刘宝玺;罗阳;王虎伟;尹成 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C23C18/40;C23C18/18;B22F1/00;B22F3/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 镀铜石墨和纳米碳化硅混杂增强铜基复合材料及其制备方法，涉及一种用粉末冶金法制备镀铜石墨和纳米碳化硅混杂增强铜基复合材料及其制备方法，解决了现有铜基复合材料存在力学性能及导电、导热性能不能兼顾的问题。本发明是按照体积百分比由82％～92％纯铜粉或铜合金粉，5％～15％含镀铜层石墨颗粒以及3％纳米碳化硅颗粒经过步骤一：石墨颗粒化学镀铜前的预处理；步骤二：石墨颗粒化学镀铜；步骤三：混合；步骤四：冷压成型和真空热压烧结；步骤五：热挤压变形。即得到镀铜石墨和纳米碳化硅混杂增强铜基复合材料。它的力学性能和导电性能均很高，可作为优良的导电、导热功能材料被广泛的用于受电弓滑板、滑动触头及电阻焊电极等工业生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 镀铜 石墨 纳米 碳化硅 混杂 增强 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
镀铜石墨和纳米碳化硅混杂增强铜基复合材料，其特征在于：镀铜石墨和纳米碳化硅混杂增强铜基复合材料的基体是按照体积百分比由80％～90％纯铜粉或铜合金粉，5％～15％含镀铜层石墨颗粒以及1％～5％纳米碳化硅颗粒混合制得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010514440.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
