[发明专利]一种基于阻塞控制的单稳态电路无效
| 申请号： | 201010514560.0 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101977039A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 王东辉;闫浩;侯朝焕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | H03K3/033 | 分类号： | H03K3/033 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 杨小蓉;高宇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于阻塞控制的单稳态电路，第一PMOS晶体管P1的源极连接电源电压，其漏极与第二PMOS晶体管P2的源极相连，其栅极受控于输入电压；第二PMOS晶体管P2的栅极受控于反相器I2输出端的信号，其漏极与传输门T1输出端、反相器I1的输入端及电容N1的一端相连；电容N1的另一端接地；反相器I1的输出端与所述传输门T2的输入端相连；传输门T2的输出端与反相器I2的输入端相连；反相器I2的输出端与所述反相器I3的输入端相连；反相器I3的输出端是所述单稳态电路的输出端VOUT，并且该输出端被反馈连接至所述传输门T1的输入端；两个传输门分别受控于两个传输门控制端的输入信号，使得在同一时间只有一个传输门导通以实现阻塞控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阻塞 控制 稳态 电路 | ||
【主权项】：
一种基于阻塞控制的单稳态电路，其特征在于，该单稳态电路包括：第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、两个传输门(T1、T2)、电容(N1)和三个反相器(I1、I2、I3)；所述第一PMOS晶体管(P1)的源极连接电源电压，其漏极与所述第二PMOS晶体管(P2)的源极相连，其栅极受控于输入电压；所述第PMOS晶体管(P2)的栅极受控于所述反相器(I2)输出端的信号，其漏极与所述传输门(T1)输出端、所述反相器(I1)的输入端及所述电容(N1)的一端相连；所述电容(N1)的另一端接地；所述反相器(I1)的输出端与所述传输门(T2)的输入端相连；所述传输门(T2)的输出端与所述反相器(I2)的输入端相连；所述反相器(I2)的输出端与所述反相器(I3)的输入端相连；所述反相器(I3)的输出端是所述单稳态电路的输出端(VOUT)，并且该输出端被反馈连接至所述传输门(T1)的输入端；所述传输门(T1、T2)分别受控于传输门(T1、T2)控制端的输入信号，使得在同一时间只有一个传输门导通以实现阻塞控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院声学研究所，未经中国科学院声学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010514560.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
