[发明专利]发射极掺杂多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201010514579.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102456571A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 缪燕 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发射极掺杂多晶硅的制造方法，硅片上已由介质层形成发射极窗口，发射极窗口中的基区表面已具有一层氧化硅；第1步，采用腔体减压化学气相淀积工艺在发射极窗口中的氧化硅之上交替地淀积非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅；第2步，采用快速热退火工艺，使所淀积的非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅中的掺杂物分布均匀。本发明可以提高多晶硅的生长速率，保持掺杂多晶硅中的掺杂物浓度及分布均匀，还可改善晶粒尺寸和表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 发射极 掺杂 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发射极掺杂多晶硅的制造方法，该方法进行之前硅片上已由介质层形成发射极窗口，发射极窗口中的基区表面已具有一层氧化硅；其特征是，所述方法包括如下步骤：第1步，采用腔体减压化学气相淀积工艺在发射极窗口中的氧化硅之上交替地淀积非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅；第2步，采用快速热退火工艺，使所淀积的非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅中的掺杂物分布均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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