[发明专利]碳化物复合相变存储材料及制备方法有效
| 申请号： | 201010515116.0 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102453823A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吴良才;朱敏;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C22C32/00 | 分类号： | C22C32/00;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域，从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制，大大增加了晶界数，增大了复合材料的电阻率，使得复合材料拥有良好的相变特性和热稳定性。此外，可通过增加碳化物比例的方法来调节相变材料的晶态电阻值，避免由于晶态电阻过小而引起的阈值电流或功耗过大问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化物 复合 相变 存储 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：由碳化物和至少一种相变材料复合而成。
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