[发明专利]一种单层电容器及其制备方法有效
申请号: | 201010515312.8 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN102013320A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 马学静;陆亨;唐浩;宋子峰;祝忠勇 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/00 | 分类号: | H01G4/00;H01G4/005;H01G4/12 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 华辉;周端仪 |
地址: | 526020 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种单层电容器及其制备方法,包括瓷浆制备、制备陶瓷生片、烧结、清洗、在陶瓷介质主体的上下表面分别附着电极层、切割,其中烧结时,陶瓷生片放置于下氧化锆板,上氧化锆板通过垫片支撑覆盖于下氧化锆板上方;电极层通过真空溅射形成;切割采用激光切割。由该制备方法制得的单层电容器,能够符合设计要求,成品合格率大大提高,其长宽尺寸为0.25-2.54mm,厚度仅为0.1-0.5mm,尺寸超小,并具有超低的串联等效电阻和串联等效电感,在射频微波下高Q值,应用频率可达数GHz到数十GHz,故本发明产品可应用于混合微波集成电路和单片微波集成电路等。 | ||
搜索关键词: | 一种 单层 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单层电容器的制备方法,包括瓷浆制备、制备陶瓷生片、烧结、清洗、在陶瓷介质主体的上下表面分别附着电极层、切割,其特征在于:所述的烧结时,陶瓷生片放置于下氧化锆板,上氧化锆板通过垫片支撑覆盖于下氧化锆板上方;所述的电极层通过真空溅射形成;所述的切割采用激光切割。
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