[发明专利]层迭封装堆栈式集成电路封装系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201010516101.6 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102044452A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 朴炯相;梁悳景;崔大植 | 申请（专利权）人： | 史特斯晶片封装公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/768;H01L21/66;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;龚颐雯 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种层迭封装堆栈式集成电路封装系统及其制造方法。该集成电路封装系统的制造方法包含以下步骤：形成顶部封装，包含：提供具有硅通孔的硅通孔插入件，将堆栈集成电路裸片耦合至该硅通孔并测试顶部封装；形成基部封装，包含：提供衬底，将基部集成电路裸片耦合至该衬底并测试基部封装；以及，在该顶部封装与该基部封装之间耦合堆栈互连。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 堆栈 集成电路 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路封装系统的制造方法，包括以下步骤：形成顶部封装，包含：提供具有硅通孔的硅通孔插入件，将堆栈集成电路裸片耦合至该硅通孔，以及测试该顶部封装；形成基部封装，包含：提供衬底，将基部集成电路裸片耦合至该衬底，以及测试该基部封装；以及在该顶部封装与该基部封装之间耦合堆栈互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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