[发明专利]测试阵列基板上薄膜晶体管特性的方法和装置无效
| 申请号： | 201010517764.X | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102456592A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 于洪俊 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试阵列基板上薄膜晶体管特性的方法和装置，涉及液晶显示器领域，为提高测试结果的准确性而发明。所述测试阵列基板上薄膜晶体管特性的方法，包括：确定薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度，其中，所述栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号均为交流电压信号；在所述薄膜晶体管的栅极施加所述栅极测试电压信号，在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间施加所述漏源极间测试电压信号；获取所述待测特性对应的、所述薄膜晶体管的输出信号。本发明可用于薄膜晶体管液晶显示器的设计验证和质量验证过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 阵列 基板上 薄膜晶体管 特性 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种测试阵列基板上薄膜晶体管特性的方法，其特征在于，包括：确定薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度，其中，所述栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号均为交流电压信号；按照所述栅极测试电压信号和源漏极测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度，在所述薄膜晶体管的栅极施加所述栅极测试电压信号，在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间施加所述漏源极间测试电压信号；获取所述待测特性对应的、所述薄膜晶体管的输出信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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