[发明专利]一种粗化表面发光二极管制作方法无效
| 申请号： | 201010517842.6 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101964386A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 潘群峰;吴志强;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种粗化表面发光二极管制作方法，利用电化学蚀刻粗化未掺杂氮化镓外延层，在发光二极管结构中引入须状体粗化形貌，既避免了降温外延生长带来的电性劣化，又避免了氮极性面粗化薄膜芯片的复杂工艺和低成品率，可以获得工艺简单、低成本、高取光效率的粗化表面氮化镓基发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种粗化表面发光二极管制作方法，其步骤包括：1）在蓝宝石衬底上依次生长n型氮化镓基外延层、有源层、p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层；2）在非掺杂氮化镓基外延层上定义掩膜区和粗化区，并在掩膜区的非掺杂氮化镓基外延层上镀一金属层，以覆盖整个掩膜区；3）采用电化学湿法蚀刻粗化区的未掺杂氮化镓基外延层，蚀刻停止在p型氮化镓基外延层表面，形成粗化的须状体表面形貌，暴露出部分区域的p型氮化镓基外延层，粗化后去除掩膜金属层；4）在粗化区的p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层上制作透明导电层；5）蚀刻去除掩膜区的未掺杂氮化镓基外延层、p型氮化镓基外延层和有源层，暴露出n型氮化镓基外延层；6）分别在透明导电层和n型氮化镓基外延层上制作p电极和n电极。
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