[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201010518085.4 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044576A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 朴相俊;朴成范;金颖俊;裵埈成 | 申请（专利权）人： | IPS有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了太阳能电池及其制造方法。在制造太阳能电池的方法中，在其受光表面上形成有防反光膜的p型半导体基片装载入处理腔室。在这种情况，p型半导体基片可以沿基片支撑体的边缘装载在处理多个基片的装置的基片支撑体上，在此状态下，p型半导体基片的背面面朝上。然后在所述p型半导体基片的背面上由AlO、AlN或AlON形成具有负的固定电荷(NFC)的特性的背面电场(BSF)层。此时，可以通过在相对于喷头相对地旋转基片支撑体时，同时注入穿过各个气体注入单元的注入孔的铝源气体、第一净化气体、氧化剂气体和/或氮化剂气体，以及第二净化气体来形成BSF层。此后，背面电极形成于BSF之上，以使得背面电极与BSF层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：p型半导体基片；在所述p型半导体基片受光表面的相对表面上由铝的化合物形成的背面电场(BSF)层；以及形成于所述BSF层上以与所述BSF层电连接的背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
