[发明专利]晶体管结构有效
| 申请号： | 201010518111.3 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102447062A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 叶佳俊;王裕霖;蔡耀州;黄松辉 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种晶体管结构，其包含图案化N型透明氧化物半导体层以及图案化P型有机高分子半导体层。图案化N型透明氧化物半导体层形成于基板上方，以作为基极。图案化P型有机高分子半导体层形成于图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含第一部分以及第二部分，使得图案化N型透明氧化物半导体层与图案化P型有机高分子半导体层的第一部分和第二部分分别形成异质接面，其中图案化P型有机高分子半导体层的第一部分是作为发射极，图案化P型有机高分子半导体层的第二部分是作为集电极。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体管结构，其特征在于，包含：一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于一基板上方，作为一基极；以及一图案化P型有机高分子半导体层，形成于该图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化N型透明氧化物半导体层与该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化P型有机高分子半导体层的该第二部分是作为一集电极。
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