[发明专利]一种可控制备硅纳米结构材料的电化学方法无效
| 申请号： | 201010518156.0 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102260894A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 康振辉;刘阳;张晓宏;李述汤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备硅纳米结构材料或其阵列的方法。本发明方法包括下述步骤：以单晶硅为阳极，惰性电极为阴极，将所述阳极和阴极置于电解液中，并向所述电解液中加入与水不混溶的烃类溶剂；在所述阳极施加电流，进行电化学氧化反应，反应结束后得到所述硅纳米结构材料或其阵列；其中，所述电解液由质量浓度为10-30％的氢氟酸溶液、有机溶剂和催化剂组成；所述有机溶剂为甲醇、乙醇或它们任意比例的混合物，所述催化剂为多酸化合物、过氧化氢或它们的混合物；所述与水不混溶的烃类溶剂的密度小于水的密度。该方法通过调节催化剂种类以及电化学反应的电流密度，可实现多种硅纳米结构及其阵列的可控制备，对于硅纳米结构来说是一种通用的制备方法，简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 制备 纳米 结构 材料 电化学 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硅纳米结构材料或其阵列材料的方法，包括下述步骤：以单晶硅为阳极，惰性电极为阴极，将所述阳极和阴极置于电解液中，并向所述电解液中加入与水不混溶的烃类溶剂；在所述阳极施加电流，进行电化学氧化反应，反应结束后得到所述硅纳米结构材料或其阵列；其中，所述电解液由质量浓度为10‑30％的氢氟酸溶液、有机溶剂和催化剂组成；所述有机溶剂为甲醇、乙醇或它们任意比例的混合物，所述催化剂为多酸化合物、过氧化氢或它们的混合物；所述与水不混溶的烃类溶剂的密度小于水的密度。
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