[发明专利]一种MgZnO薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201010518187.6 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102453865A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种MgZnO薄膜的制备方法。该方法通过将MgO和ZnO粉体混合，烧结成MgZnO陶瓷作为靶材，其中，MgO和ZnO的摩尔量比为0.15～1.2；然后将上述MgZnO陶瓷靶材装入具有一衬底的磁控溅射腔体，抽真空，将衬底温度升到500℃～800℃；最后通入氩气，设置工艺参数为：流量为15sccm～25sccm，调节工作压强为0.6Pa～1.6Pa，溅射功率60W～160W，在衬底上溅射沉积生长MgZnO薄膜。本发明采用单一的靶材，便制备得到不同Mg含量的MgZnO薄膜。方法简单，节省材料，同时也可以达到精确控制薄膜禁带宽度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mgzno 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤一、靶材的制备，将MgO和ZnO粉体混合，烧结作为靶材，所述MgO与ZnO的摩尔量比为0.15～1.2；步骤二、薄膜的沉积，将所述MgZnO靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置衬底温度为500℃～800℃，惰性气体流量为15sccm～25sccm，压强为0.6Pa～1.6Pa，溅射功率60W～160W，沉积时间为60min～240min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司，未经海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010518187.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
