[发明专利]提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法

摘要

一种提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，包括：提供半导体衬底；硬掩膜的制备，所述硬掩膜具有氮化硅膜；沟槽的制备，利用上述硬掩膜为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；栅氧的制备与多晶硅填充；平坦化处理，通过化学抛光工艺去除硬掩膜及多晶硅；源极离子注入与退火，所述退火工艺在氧气氛围下进行；淀积介电层。本发明通过采用具有硬质氮化硅膜的硬掩膜作为沟槽的硬掩膜，并在源极离子注入后采用在氧气氛围下进行高温退火处理，同时在半导体衬底上采用低压淀积氧化硅工艺淀积介电层，不仅改善了栅氧的生长速度和形成厚度，同时提升了栅氧的可靠性。

主权项

一种提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底为硅基衬底；硬掩膜的制备，所述硬掩膜具有氮化硅膜，且在所述氮化硅膜与半导体衬底之间形成垫子氧化层，在所述氮化硅之异于垫子氧化层的一侧形成氧化硅膜；沟槽的制备，利用上述硬掩膜为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；栅氧的制备与多晶硅填充，所述栅氧形成在所述沟槽内壁，多晶硅淀积填充在所述沟槽内；平坦化处理，通过化学抛光工艺去除硬掩膜及多晶硅；源极离子注入与退火，所述退火工艺在氧气氛围下进行；淀积介电层，所述介电层淀积采用低压淀积氧化硅工艺。