[发明专利]一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法有效
申请号: | 201010518621.0 | 申请日: | 2010-10-25 |
公开(公告)号: | CN102456558A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 刘金华;吴汉明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法,在淀积高k介质后,不是直接淀积金属层,而是淀积底部抗反射涂层,然后通过设置合适的刻蚀时间,使得沟槽侧壁的高k介质与底部抗反射涂层一同被去除,但沟槽底部的高k介质保留下来。在此之后再淀积金属层以构造出高k介质-金属栅极。这样在金属栅极和侧墙之间就不会有高k介质,可以有效减小寄生电容对器件性能的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电常数 介质 金属 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高介电常数介质‑金属栅极的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:A、构造一硅片;所述硅片包括一硅基底、硅基底表面的多晶硅栅极、多晶硅栅极两侧的氮化硅侧墙、多晶硅栅极两侧的硅基底上形成的源极和漏极、所述多晶硅栅极的顶面以及源极和漏极的表面覆盖的金属硅化物、源极和漏极的表面的金属硅化物的表面覆盖的层间介质层;所述层间介质层的表面与多晶硅栅极的顶面覆盖的金属硅化物的表面位于同一水平面;B、移除多晶硅栅极及其顶面上的金属硅化物,在多晶硅栅极原有位置形成沟槽结构,在沟槽结构两侧的层间介质的上表面以及所述沟槽结构的底部和侧壁表面淀积高k介质层;C、在高k介质层的上表面淀积底部抗反射涂层,底部抗反射涂层完全填充所述沟槽结构;D、对硅片进行垂直方向的干蚀刻,除去位于层间介质上表面的高k介质,以及除去沿着所述沟槽结构侧壁分布的高k介质和底部抗反射涂层,保留沟槽底部水平分布的高k介质;E、在所述层间介质的上表面、沟槽结构的侧壁以及沟槽底部的高k介质的上表面淀积金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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