[发明专利]一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法

摘要

本发明提供了一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法，在淀积高k介质后，不是直接淀积金属层，而是淀积底部抗反射涂层，然后通过设置合适的刻蚀时间，使得沟槽侧壁的高k介质与底部抗反射涂层一同被去除，但沟槽底部的高k介质保留下来。在此之后再淀积金属层以构造出高k介质-金属栅极。这样在金属栅极和侧墙之间就不会有高k介质，可以有效减小寄生电容对器件性能的影响。

主权项

一种高介电常数介质‑金属栅极的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：A、构造一硅片；所述硅片包括一硅基底、硅基底表面的多晶硅栅极、多晶硅栅极两侧的氮化硅侧墙、多晶硅栅极两侧的硅基底上形成的源极和漏极、所述多晶硅栅极的顶面以及源极和漏极的表面覆盖的金属硅化物、源极和漏极的表面的金属硅化物的表面覆盖的层间介质层；所述层间介质层的表面与多晶硅栅极的顶面覆盖的金属硅化物的表面位于同一水平面；B、移除多晶硅栅极及其顶面上的金属硅化物，在多晶硅栅极原有位置形成沟槽结构，在沟槽结构两侧的层间介质的上表面以及所述沟槽结构的底部和侧壁表面淀积高k介质层；C、在高k介质层的上表面淀积底部抗反射涂层，底部抗反射涂层完全填充所述沟槽结构；D、对硅片进行垂直方向的干蚀刻，除去位于层间介质上表面的高k介质，以及除去沿着所述沟槽结构侧壁分布的高k介质和底部抗反射涂层，保留沟槽底部水平分布的高k介质；E、在所述层间介质的上表面、沟槽结构的侧壁以及沟槽底部的高k介质的上表面淀积金属层。